Китайские ученые сделали значительный прорыв в области фотолитографии, разработав собственный источник EUV-излучения на лазерной плазме (LPP) — ключевой компонент для производства современных микрочипов. Разработка, выполненная группой под руководством Линь Наня в Шанхайском институте оптики и точной механики, стала особенно важной на фоне запрета на поставки оборудования ASML в Китай с 2019 года. Новый источник оказался более компактным и по характеристикам не уступает международным аналогам, что приближает Китай к созданию собственных литографических машин.
В отличие от традиционных установок ASML, использующих громоздкие и дорогие газовые лазеры CO₂, китайские специалисты применили твердотельный лазер. Такие лазеры обладают меньшими габаритами, более высоким коэффициентом полезного действия (около 20%) и потенциалом для масштабного применения. В экспериментах была достигнута эффективность преобразования в 3,42%, что превосходит аналогичные результаты европейских исследовательских центров и уступает лишь двум международным командам — из США и Японии.
Максимально возможная эффективность оценивается учеными на уровне 6%, и в ближайшее время они планируют провести дополнительные эксперименты для её достижения. Таким образом, разработка может заложить основу для создания независимой китайской инфраструктуры производства чипов на передовом уровне.
Дополнительно в России Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) при участии белорусской компании «Планар» создал фотолитограф с разрешением 350 нм. Его особенностью также стал переход от ртутной лампы к твердотельному лазеру, что говорит о глобальной тенденции к более компактным и энергоэффективным источникам света в фотолитографии.
#космос #наука #познавательное #технологии
